Beneq TFS 200 原子層沉積研究設(shè)備
Beneq TFS 200 是有史以來為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計的靈活的原子層沉積研究平臺，Beneq TFS 200 專門設(shè)計用于很大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項和升級意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起成長，以滿足很苛刻的研究要求。
Beneq TFS 200 代表的技術(shù)解決方案可在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和具有極高縱橫比 （HAR） 特征的復(fù)雜 3D 物體上沉積優(yōu)質(zhì)涂層。
直接和遠(yuǎn)程等離子體增強沉積 （PEALD） 在 Beneq TFS 200 中作為標(biāo)準(zhǔn)選項提供。等離子體是電容耦合（CCP），這是當(dāng)今的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CCP 等離子體選項提供直接和遠(yuǎn)程等離子增強 ALD （PEALD），適用于很大 200mm 的基板，正面朝上或正面朝下。
ALD配套臭氧設(shè)備
臭氧發(fā)生器：Atals H30
臭氧分解器：F1000
臭氧在線檢測儀：3S-J5000
特點
處理周期時間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒
高縱橫比 （HAR） 可用于具有通孔和多孔基材的結(jié)構(gòu)
用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室
真空室中的輔助入口可實現(xiàn)等離子體、原位診斷等。
負(fù)載鎖定可用于快速更換基板和與其他設(shè)備的集成。
